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半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业的未来，制造设备是关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。
中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供刻蚀机和薄膜设备的中微公司带来了高速成长机会。
受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2023年公司CCP和ICP刻蚀设备均在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升；公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和MEMS器件生产。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。公司近两年新开发的LPCVD设备和ALD设备，目前已有四款设备产品进入市场，其中三款设备已获得客户认证，并开始得到重复性订单，公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备，在薄膜沉积领域快速扩大产品覆盖度；公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Beve刻蚀设备等多个新产品，也计划在2024年投入市场验证。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。
近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的LED、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要较多品类设备多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国大陆。近年来，中国LED芯片产业的快速发展曾带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长。公司的MOCVD设备已经在蓝绿光LED生产线上占据绝对领先的市占率，报告期内，受终端市场波动影响，公司的MOCVD设备销售额有所下滑。
公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。
此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中。在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月投入使用；公司在上海临港（600848）的约18万平方米的生产和研发基地部分生产厂房及成品仓库已经于2023年10月投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也将封顶，为今后的大发展夯实基础。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2023年公司研发投入为12.62亿元，相较去年同期增长35.89%，占收入比例为20.15%。
报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。
公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，目前进展顺利。同时公司也与其他多家逻辑芯片制造客户达成现场评估意向。该设备采用双反应台平台设计，在满足严苛工艺指标的同时可以有效的降低生产成本。PrimoSD-RIE具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布，有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题，极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。
在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的PrimoUD-RIE已经在生产线深宽比结构的能力，该设备适用于DRAM和3DNAND器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。
报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>
100%的年均复合增长。
报告期内，公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的NanovaVEHP和兼顾深宽比和均匀性的NanovaLUX两种ICP设备，极大地扩展了ICP刻蚀设备的验证工艺范围，在先进逻辑芯片、先进DRAM和3DNAND的ICP验证刻蚀工艺覆盖率有望大幅提升。NanovaVEHP在DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜应用上
报告期内，公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级㊣先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场铝线键合工艺原理。
在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetaA刻蚀设备，并在实验室搭建了Apha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。
此外，报告期内，公司根据技术发展需求，有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代㊣的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。
报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2023年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀✅性、高良率等㊣优点，受到下㊣游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。
公司于2022年推出了用于氮化镓功率㊣器件生产的MOCVD设备PRISMOPD5，已付㊣运至国内外领先客户，并取得了重复订单。
同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用M㊣OCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，并于报告期内付运样机至国内领先客户开展生产验证。
此外，随着电㊣动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内公司㊣取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，预计2024年第一季度将开展客户端生产验证。
报告期内，公司新开✅发出㊣4款薄膜沉积产品。公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程✅各项性能指标，并获得客户重复量㊣产订单。公司在CVDW设备基础上，进一步开发出新型号HAR（高深宽比）W钨设备及ALDW钨设备，这两项设备均为高端存储器件的关键设备，目前已通过客户现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标。中微公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已全部通过客户现场验证。同时公司已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/㊣A㊣LDW钨设备的验证，并取得了客户订单，为进一步积累市场优势打下基础。
同期，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，公司已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。
公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大㊣提高了产能，降低了材料成本。此外，中微独立自主的✅IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。
公司组建的EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经设计并制造出具有自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔。目前公司E㊣PI设备已进入工艺验证和客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和㊣节能的净化解决方案。此外，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经批量㊣生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。
子公司中微汇链以区块链创✅新理念和技术为基础，并结合多年来在中微公司积累沉淀的最佳业务管理实践经验，面向半导体等高科技制造行业与企业，提供适配新型工业化发展趋势的数字化产品与服务。不仅协助企业全面提升研发、制造、交付管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系。以创新数字化手段推动本土制造产业培育更多“专精特新”中小企业和单项冠军企业。目前，平台场景应用数量已超70个，可订阅微服务超400个。
中微汇链为上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、思爱普（SAP）集团PEBuid与IndustryCoud合作伙伴；2023年获得中国产业区块链企业100强、《2023年中国产业区块链创新案例》等奖项；服务案例入选《工赋引擎-上海市工业互联网创新发展实践案例集》；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》、《面向高端装备制✅造行业的云原生白皮书》等多项数字化领域团体标准。
报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的㊣认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优㊣势。
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司正在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月投入使用；公司在上㊣海临港的约18万平方米的生产和研发基地✅部分生产厂房及成品仓库已经于2023年10月投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也将封顶。
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。公司建立了高效的库存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周✅转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2023年，公司获得了✅多项殊荣，行业认可度不断提升，包括“2022年度张江国㊣家自主创新示范区‘张江之星’（领军型企业）”、“2022年度上海市科技㊣进步奖一㊣等奖”、“2023上海硬核✅科技企业Top100”、“2023司南科技奖-年度卓越半导体设备供应商”等。报告期内，公司营运效率持✅续提高，设备交付按时率保持在较高水准，物料成本控制等指标达到预期水平。
公司高度重视科技创㊣新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请292项，包括发明专利224项，实用新型专利65项，外观设计专利3项。截至2023年12月，公司已申请2,551项专利，其中发明专利2,161项，占比84.70%；已获授权专利1,547项，其中㊣发明专利1,329项。公司㊣鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，并着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。
2023年，公司成功注册“中微”汉字商标，并根据中微及子公司的业务拓展新申请35个商标，其中23个成功注册。截止2023年末，中微公司共获得注册商标164件，不断扩大商标布局版图。2023年7月，公司在针对美商科林研发股份公司（LamResearchCorporation）提起的侵犯商业秘密案中赢得二审胜诉，凸显了公司对自主创新和知识产权保护的重视，以及保护自身权益的决心。
公司视“员工”为最宝贵的㊣资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段、形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是管理团队均能获得充分的成长、发展机会。同时，公司践行“四个十大”的公司✅㊣文㊣化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学✅习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕㊣业生，公司2023年新入职员工461人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财证金融、人工智能和人才发展六大学㊣习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。2023年6月12日，公司㊣向1361名激励对象授予550万股限制性股票。
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域✅取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协同效应。其中，公司参✅股投资的晶升股份、华虹公司在2023年完成科创板✅挂牌上市。
公司建立了较为完善的公㊣㊣司㊣内控制度和公㊣司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履㊣行信息披露㊣义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互㊣动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“全景投资者关系金奖”、“2023最佳ESG科✅创板上市公㊣司”、“2023科创版最具投资价值企㊣业”、“中国✅上市公司✅ESG百强榜单”、“2023中国制造业上市公司社会责任五星金奖”、“中国上市公司成长百强”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示教育，要求董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延㊣片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积㊣设✅备及其他设备，其中主要产品㊣的具体情况如下：
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和MOCV㊣D设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入㊣来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
公司主要采取自主研发的模式。根据公司✅产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Apha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了㊣相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在㊣电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及㊣付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定㊣✅期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建㊣立了长期、稳定的合作关系。
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速㊣响应交期及平衡产能。
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大✅陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影✅响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生㊣影响。
全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导✅体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业和LED设备行业中的MOCVD设备行业。
集成电路设备包括㊣晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模✅约占集成电路设备整体市场规模的约80%。
晶圆㊣制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品✅类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设㊣备。根据Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。
随着集成电路芯片㊣制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。
MOCVD设备广泛应用于包括光✅学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料制备的关键技术之一。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出、备成本的需求，在产业链中有着举足轻重的作用。
在LED及功率器件生产过程中，外延片的制备是至关重要的步骤，其主要通过MOCVD单种设备实现。而MOCVD设备采购金额一般占LED生产线设备总投入的一半以上，是器件制造环节㊣中最重要的设备。
除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED，MOCVD设备还可制造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器件，随着这些新兴领域的应用拓展及逐步推广，MOCVD设备的市场有望进一步扩大。
过去几✅年，LED客户扩产的主要方向为㊣蓝绿光外延片，应用㊣领域也主要在照明市场。在Mini-LED背光及直接显示市场需求的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量增加明显。Micro-LED高端显示技术也发展迅速，基于Micro-LED的高端显示应用也开始小规模试生产，预计在未㊣来几年将会有更多的市场需求。
此外，随着㊣电动汽㊣车、光伏储能、手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用爆发式增长，带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近期的行业热点。据Yoe公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中㊣小功率领域，预计市场规模将从2022年的1.8亿美金㊣快速增长到2028年超过20亿美金，复合年均增长率达49%。由此对氮化镓功率器件外延片制造设备有较大的需求。
碳化硅✅功率器件主要应用在大功率领域，如新能源㊣汽车、光伏储能、轨道交通等领域，尤其是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长，据Yoe公司报告，碳化硅功率器件在2028年市场规模将达到89亿美金，2022年至2028年复合年均增长率超过30%，由此对碳化硅外延生产设备将有更大的需求。
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高。
在刻蚀设㊣备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的5纳米及以下集成电路加工制造生产线纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的CCP刻蚀设备均实现了批量销售，已有超过200台反应台在生产线合格运转，公司在主要客户的市场占有率稳步提升。
在MOCVD设备领域，公司用于氮化镓基LED外延生产的MOCVD设备已在行业领先客户生产线年起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商，并持续保持✅在行业内的领先地位。
随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新㊣技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性能不断提升，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过渡到复杂的三维架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新㊣和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。
等离子体刻㊣蚀设备是✅一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面的材料发生化学反应，产生可挥发的气体，从而在表面的材料上加工出微观结构。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀㊣和电感性等离子体刻蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
随着国际上先进芯片制程从7-5纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。展示二重和多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀：
芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。
集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前128层3DNAND闪存已进入大生产，200层以上闪存已处于批量生产阶段，更高层数正在开发。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小㊣单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工40：1到60：1甚㊣至更高的极深㊣㊣孔或极深的沟槽。3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。
制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到较为成熟的阶段，MOCVD设备企业目前主要在提高大规模外延生产所需的性能、降低生产✅成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行技术开发，以满足下游应用市场的需求。
应用于Mini-LED新型显示应用的MOCVD设备发展较为迅速，公司所开发的MOCVD设备PRISMOUniMax广泛应用到领先客户的Mini-LED外延生产线，占据行业主导地位。
应用于Mic✅ro-LED高端显示的MOCVD设备还处于研发阶段，产业链对Micro-LED外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有极为苛刻的技术要求，以此降低Micro-LE㊣D应用的㊣制造成本，加速高端显示市场的推广。MOCVD设备企业后续主要将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提高芯片良率，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片加工能力等方面进行技术突破，从而推进产品的不断进步。中微公司开发的Micro-LED高端显示应用的MOCVD生产设备进展顺利，实验室结果实现了优良的波长均匀性能，并于报告期内付运样机至国内领先客户开展生产验证。
应用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶段。公司也于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户㊣生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力。
应用于碳化硅功率器件的外延设备处于快速发展阶段，行业现有生㊣产设备主要适用于6英寸碳化硅衬底；随着8英寸衬底成本的持续下降，未来将逐渐过渡至8英寸的外延生产。公司针对行业发展的新趋势，在机台产✅出一致性，设备自动化性能，产出效率，硬件稳定性等方面进一步优化性能，以满足下游客户对外延片产出性能和产出经济性等方面的苛刻需求，目前开发进展顺利，实验室结果实现✅了优良的工艺性能，后续将与下游客户开展合作，并付运样机至客户端开展生产验证。
从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐渐超过内✅阻，成为影✅响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向多层接触孔演变。在先进的节点，钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案。
CVD钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来沉积氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。
国际国内先进逻辑器件工艺节点向5纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为影响器件速度的关键因素。在90纳米到28纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降低钨膜的电阻率。但是在14纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工㊣艺也在更先进工㊣艺节点上开发和应用。先进逻辑器件还需要均匀性和稳定性更好的金属栅的填充技术，以提高㊣器件的性能和稳定性。随着3D✅NAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。这些新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。
半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代，改变了许多传统行业亦催生出众多应用，如互联网、智能手机、人工智能、5G、自动驾驶等新兴产✅业。半导体的制造离不开半导体设备，半导体设备行业✅的持续发展间接地促进了各类新产业的诞生。
集成电路应用领域中，人工智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用的发展将释放出大量芯片制造的需求，进一步推动上游半导体㊣设备行业的稳步增长。
光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随着Mini-LED和Micro-LED技术的✅进一步发展和完善，LED新㊣型显示产业有望成为继LED照明产业后MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。
在化合物半导体功率㊣器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，化合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求已经开始呈现出快速增长趋势。
公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备✅和M㊣OCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到㊣国际先进水平。
报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持㊣自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设备的技术领先优势。公司CCP和ICP刻蚀机的单双反应台并举策略的优势凸显。其中CCP双反应台设备累计装机超过2000反应腔，ICP双反应台设备2020年至2023年累计装机台数年均复合增速超过100%。单反应台CCP和ICP㊣刻蚀设备在先进工艺生产线装机增长迅速，合计累计装机超过1000反应台。同时，公司大力投入先进芯片制造✅技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的设备已经在客户的产线上展开验证。
在逻辑芯片制造方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从65纳米到5纳米及更先进技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提㊣出了更高的要求，公司针对5纳米及更先进技术节点的刻蚀设备进行了多项性能改进，并已经在生产线上实施，极大提升了设备的生产效率和生产质量。
在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的解决方案。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前在生产线上验证顺利，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也进入到良率和可靠性验证阶段。
此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、电源管理、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通㊣过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在虚拟现实技术和医疗诊断有广泛应用前景的超透镜（Metaens）和基于12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。
在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司致力于建立完整的供㊣应商体系，非常注重与本土供应商的合作，力争实现以点带面，合作共赢，共同突破。在带动一批本土供应商成长的同时也极大的助力公司的高速，稳定，健康和安全发展。近年来，公司继续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作的深㊣度和广度上进一步加强，为降本增效和供应链安全提供更加坚实的保障。
用于蓝光LED的PrismoD-Bue、PrismoA7两款MOCVD设备能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力。公司的Pr㊣ismoA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。
用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得㊣重复订单。
用于Mini-LED生产的MOCVD设备PrismoUniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的㊣特点，在同一系统中可配备多达4个反应腔，每个反应㊣腔都可实现独立控制。PrismoUniMax配置了785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热㊣调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升LED波长均匀性。PrismoUniMax已在领先客户端开始进行规模化生产。
用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PrismoPD5，具有高灵活性的特点，在同一㊣系统中可配备㊣多达4个反应腔，每个反应腔都可实㊣现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸与8英寸工艺的便捷切换，PrismoPD5设备已在客户生产线上验证㊣通过并获得重复订单。
用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。
公司已经实现三种薄膜沉积设备的高效研发交付以及其他多个关键薄膜沉积设备研发项目的顺利推进。公司完全自主设计开发的双台机W钨系列设备，生产率达到业界领先水平，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优✅秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件字线应用及接触孔填充应用，以及128层及以上3DNAND中的多个关键应用。除此之外，公司新开发的ALD氮化钛设备，产品性能验证达到国际㊣先进水平，可满足逻辑及存储多道关键应用需求。
报告期内，公司持续进行㊣较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额12.62亿元，较上年增加35.89%，主要系随着研发项目的㊣开✅展，研发材料投入增加以及研发人员增加下职工薪酬增长。
本期资本化研发投入总额3.81亿元，较上年增加147.08%，主要系公司研发项目达到研发费用资本化条件的支出大幅增加。
公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技㊣术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这✅一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。
中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。
中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术✅人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领㊣域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设㊣计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。
中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成✅熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员788名，占员工总数的45.76%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱㊣学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及MOCVD设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。
公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改进。
持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导㊣体㊣制造对㊣设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求，半导体㊣设备行业技术门槛较高，行业新进入者需㊣要经过较长时间的技术积㊣累才能进入该领✅域。
公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和㊣创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文✅化，为公司持续创新和研发提供保障力量。
公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2023年12月，公司已申请2,551项㊣专利，其中发明专利2,161项；已获授权专㊣利1,547项，其中发✅明专利1,329项。
在逻辑集成✅✅电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占✅据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业✅深度融合。公司开发的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及128层及以上3DNAND的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。
经过多✅年的㊣努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和㊣服务优势，产品已成功进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。
半导体设㊣备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。
公司的设备㊣产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显㊣示等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周㊣期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球约600家供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。
公司高度重视企业管理文化建设，经过多年的实践发展，形成了以“产品开发的十大原则”“战略销售的十大准则”“营运管理的十大章法”“精神文化的十大作风”为核心的企业管理㊣文化。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的㊣发展高峰。
公司在成立初期就为设备的产业化确立了十项设计和开发的基本原则：（1）为达到设备的最高性能和客户最严要求而开发；（2）为技术的创新、设备的差异化和IP保护而开发；（3）为实现加工的重复性和反应器一致性而开发；（4）为确保设备的可靠性和耐用性而开发；（5）为达到极少的颗粒和避免器件损害而开发；（6）为设备容易制造和容易维护而开发；（7）为设备模块化、同制化、容易改进和升级而开发；（8）为设备安全性和环境保护而开发；（9）为设备的高输出、低成本、低消耗和✅✅高利润而开发；（10）严格遵循五阶段㊣产品开发管理流程（PDP）。遵循✅这十项原则，公司在最初开发和设计的阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的✅设备。
公司业务发展战略和销售十大准则：（1）三维市场和产品发展战略；（2）有机✅㊣生长和外延扩展战略；（3）客户导向与引领市场战略；（4）立足中国和全球布局战略；（5）自立自强和合纵连横战略；（6）新产品导入策略；（7）关键客户管理㊣策略；（8）谈判技巧和策略；（9）客户组织内全方位的布局；（10）客户满意的服务策略。
公司运营管理的十✅大章法：（1）目标管理制度（MBO）；（2）关键绩效指标管理制度（KPI）；（3）民主集中的决策机制；（4）全员持股的股权期权激励；（5）跨部门合作的矩阵管㊣理；（6）严格且智能的生产和供应链管理；（7）系统的“三全”质量管✅理制度；（8）严格的法务、合规和知识产权管理；（9）季度审查总结会制度（QCR）；（10）环境、社会和公司治理（ESG）。
公司精神文化的十大作风：（1）✅自立自强，主动积极；（2）志存高远，进取不息；（3）诚信务实，说到做到；（4）大胆建言，勇于创新；（5）智✅慧决策，全力执行；（6）看人长处，认己不足；（7）换位思考，善于倾听；（8）厚德载物，乐于助人；（9）严守㊣机密，纪律严明；（10）大局为㊣重，合作共赢。
核心竞争力是企业在激烈市场竞争中赖以生存的差异化优势资源。目前，公司的核心竞争力主要体现在与产品有关的技术优势及产品服务解决方案上。如果公司未来难以保持在市场中的技术领先优势，没有开发其他具有竞争力的产品，不能提供满足客户需求的定制化服务等，公司的核心竞争力将受到影响。
近年来，设备市场周期性波动态势给公司带来相应的经营风险。在行业景气度提升过程中，产业往往加大资本性支出，快速提升对相关设备的需求；在行业景气度下降过程中，产业则可能㊣削减资本支出，进而对设备的需求产生✅不利影响。
近年来，晶圆厂和LED外延片制造商审慎地进行扩㊣㊣产。不能排除下游个别晶圆厂和LED外延片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单✅量，进而㊣对公司的业绩产生不利影响。
作为科技创新型企业，公司秉承扁平化的全员激励原则，对不同层级员工均给予股权激励。员工持股计划涉及公司全体员工的个人利益，在员工持股㊣计划限售期届满后，如何实现员工保持相当的激励水平，对公司的管理能力提出✅了一定的挑战。如果未来公司未能有效地管理员工持股计划，未能使员✅工持股计划持续作为员工整体薪酬的重要组成部分，将可能导致公司人员流失等治理风险。
在实施过程中，公司根据企业会计准则相关规定确认股份支付费用，上市后相关股份支付费用计入经常性损益，该等费用将对归属期内各年度扣非后净利润构成一定影响。由此，发行人实施员工持股计划可能面㊣临股份支付费用影响短期经营业绩的风险。
公司自成立以来先后承担了多项国家和地方重大科研项目。如果公司未来不能持续获得相关支持，将会对✅公司经营业绩产生不利影响。
公司为高新技术企业，报告期内公司享受高新技术企业15%所㊣得税的优惠税率，如果国家上述税收优惠政策发生变化，或者公司未能持续获得高新技术企业资质认定，则可能面临因税收优惠减㊣少或取消而降低盈利的风险。
国家出台了一系列鼓励政策以推动我国集成电路、LED及其装备制造业㊣的发展，增强信息产业创新能力和国际竞争力。若未来国家相关产业政策支持力度减弱，将对公司发展产生一定影响。
近年来，国际贸易摩擦不断。公司始终严格遵守中㊣国和他国法律，一直保持与相关国家政府部门的及时沟通。由于少数国家不断加强对中国半导体方面的出口管制限制，公司存在相当程度的国际贸易摩擦风险。
近年来，随着全球经济和日常生活的加速数字化转型，半导体行业保持高景气周期，半导体器件供应链持续紧张。公司科学管理供应厂商，对关键零部件供应商采取多厂商策略保障零部件及时供应。若未来上游供应链产能紧张形势延续，将对公司设备交期产生不利影响。
半导体及LED设备行业受下游㊣市场及终端消费市场需求波动的影响，其发展往往呈现一定的✅周期性。未来✅宏观经济疲软，终端消费市场的需求尤其是增量需求下滑，客户㊣将会减少设备的采购，行业将面临一定的波动风险。
半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术㊣外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请✅专利等方式设置较高的进入壁垒。公司一贯重视自主✅知识产权的研发，建立了科学的研发体系及知识产权保护体系，但仍不能排除与竞争对手产生知识产权纠纷，亦不能排除公司的知识产权被侵权，此类知识产权争端将对公司的正常经营活动产生不利影响。
公司在全球范围内销售产品，在多个国家或地区注册知识产权，但不同国别、不同的法律体系对知识产权的权利范围的解释和认定存在差异，若引发争议甚至诉讼将影响业务经营。
此外，产业链上下游供应商与客户的经营也可能受知识产权争议、诉讼等因✅素影响，进而间接影响公司正常的生产经营。
关键技术人员是公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势的基础。公司已经通过全员持股方式，有效提高关键人员和研发团队的忠诚度和凝聚力。但随着行业对专业人才的需求与日俱增，人才竞争㊣不断加剧。若公司不能提供优㊣质的发展平台、有竞争力的薪酬㊣待遇及良好的研发条件，存在关键人员流失的风险，进而可能对公司研发项目的实施和进程等方面造成一定的影响。
公司拥有大量技术和管理资深专家，集聚并培养了一大批行业内顶尖的技术人才。但如果未能持续引进、培养、激励✅顶尖技术人才，公司将面临专业技术人才不足的风险，进而可能导致在技术突破、产品创新方面有所落后。
此外，创始人团队对公司日常生产经营及技术研发具有重要作用，公司十分注重保障创始人团队的稳定性，创始人团队在可预期的未来发生变动的㊣可能性较低，但如公司创始人团队出现重大变动，将可能对公司的在研项目㊣进程、客户关㊣系维护、日常经营管理等方面造成一定的影响。
针对契合中微公司的中长期发展战略、有发展潜力的标的公司或部门，中微公司计划通过股权投资、并购等方式进行布局，以拓展公司业务领域，培育✅新的利润增长点，进一步提升公司防范市场波动风险并提升公司盈利能力。在进行投资和并购项目实施过程中，将面临投资风险及并购风险。
基于产业支持政策、市场环境和发展趋势，公司经过可行性研究作出项目投资决策。公司投资项目标的企业在后续发展过程中，可能面临产业政策变化、市场环境变化、产品技术水平不达预期等诸多不确定因素，可能导致标㊣的企业实际经营表现不达预期，进而导致投资项目的实际效益与预期结果存在较大差异。
公司强调稳健发展，坚持实施内生性增长与外延式并购相结合的发展策略。虽然公司未来并购时将继续秉承审㊣慎原则，相应制定整合计划，防范并购风险，但若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、被并购公司业绩或协同效应低于预期等情形，将对公司的经营业绩产生不利影响。
公司2023年营业收入约62.64亿元，较2022年增加约15.24亿元，同比㊣增长约✅32.15%。
数码产业的㊣发展正在改变人类的生产和生✅活方式。集成电路芯片和各种半导体微观器件是信息产业的基础和核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导㊣体制造设备是半导体产业进步的核心工具，是实现集成电路性能提升的关键，是半导体技术迭代的基石，发展集成电路及装备产业对我国的经济结构㊣调整升级具有重要的战略意义。
从历史上看，全球半导体产业成长迅猛。根据SIA公布的数据显示，2023年全球半导体产业销售总额为5,268亿美元，比2022年的5,741亿美元下降了8.2%，SIA指出，2022年的销售总额是业内有史以来最高的，且市场在2023年下半年已开始回升，并预计预计2024年全球半导体产业销售额将实现两位数的增长。伴随着新应用推动市场需求的持续旺盛，以及半导体国产化的广阔需求，国内半导体设备行业将受益于半导体产业的发展。
5G、物联网、大数据、人工智能以及汽车电子等新技术和新产品的应用，将带来庞大的半导体市场需求。半导体设备位于半导✅体产业链的上游，其市场规模随着下㊣游半导体技术发展和市场需求而波动，根据SEMI的统计，预计2023年底全球半导体制造设备销售额将达到1,000亿美元，较2022年的1,074亿美元下降㊣6.1%，SEMI认为需求疲软的㊣局面不会持续太长时间，并相信半导体设备投资会从2024年开始反弹，预测2025年全球半导体设备销售额达到1,240亿美元。2023年中国大陆晶圆厂持续投产，半导体设备市场逆势增长，预计将达300亿美元，占全球半导体设备市场比例高达30%。目前国内半导体设备市场主要由海外企业所占据，近年来我国设备行业技术水平✅不断提高，国产设备在产品性价比、售后服务、贴近客户等方面的优势逐渐显现，半导体设备国产化在进一步提速。作为全球最大的半导体消费市场，市场需求带动全球产能中心逐步向中国大陆转移，持续的产能转移带动了市场规模和技术水平的提高，也为设备行业的发展提供了机遇。
公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积等关键设备为主，并逐步开发先进封装、MEMS、蓝绿光及紫外LED、Mini-LED、Micro-LED等泛半导体设备产品。未来，在强化内生成长的同时，公司考虑通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并将继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用。
公司所处的半导体设备产业具有广阔的成长空间。公司正在研发的设备可应用于先进封装、MEMS、Mini-LED和Micro-LED等处于市场潜力巨大的新兴领域。公司将继续通过自主研发进一步提高公司产品的竞争力，为客户提供品质一流、性能创新的产品和优良快捷的服务，努力提高市场✅✅份额。公司将紧紧抓住半导体产业发展的机遇，不断提升技术水平和市场竞争力，引领国内半导体设备和技术的发展。
公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划：深耕集成电路关键设备领㊣域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。在集成电路设✅备领域，公司考虑扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他✅关键设备领域；公司计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、功率器件等的关键设✅备；公司拟探索其他新兴领域的机会，利用独特的设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域的市场机会。
公司将围绕自身核心竞争力，通过自✅主创新、有机生长，结合适当的投资、兼并策略，不断推动企业㊣健康发展。
公司将紧紧围绕整体发展战略，以技术创新为核心发展动力，以市场为导向，不断提高经营管理水平，通过技术突破、新产品研制开✅发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率。
公司将不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出突出贡献的技术研发人员给予奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司将持续加大研发投入力度，搭建更好的研发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
设备的研发方面，公司在持续改善现有设备的性能的同时，将根据先进逻辑芯片和高密度存储DRAM和3DNAND芯片的不同刻蚀需求，细分产品，开发不同的硬件特征，提高产品针对不同应用的刻蚀性能，满足不同客户的需求。与此同时，公司㊣会根据客户的研发需求，定义下一代产品的技术指标和技术路线，开发能满足客户需求的新产品。在薄膜沉积设备研发方面，公司将进一步开发LPCVD、EPI和ALD产品，提升高端关键制程的覆盖率，完善工艺整合方案，满足客户在的新的技术节点上对薄膜沉积设备的需求。公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备，在薄膜沉积领域快速扩大产品覆盖度；公司新开发的硅和锗✅硅外延EPI设备、晶圆边缘Beve刻蚀设备等多个新产品，也计划在㊣2024年投入市场验证。
针对第三代半导体设备市场，公司将根据高端显示应用对于外延设备的新需求，重点开发Micro-LED应用专用MO㊣CVD设备，同时针对化合物半导体功率器件市场应用的快速发展，公司正在开发㊣硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备，不断丰富公司设备的产品线，强化公司在第三代半导体设备市场的竞争优势。
公司将根据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法，建立、健全公司科学化、规范化的人力资源管理系统，持续引进国内外高端专业人才，并通过系统性培训等措施持续提升员工专业能力。
公司重视提升员工半导体行业技术专业技能及管理技能，成立了中微学院，由总经㊣理领衔，各部门负责人作为院系主任，促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围；为员工搭建线上学习平台，记录学员㊣线上课程学习、考试竞赛、试题练习和培训交流等情况，全程跟踪管理；组建内训师队伍，定期进行授课表彰及工作总㊣结，在传承知识技能的同时助力员工的职业拓展及专业能力提升。
公司提供覆盖各层级的技术和管理双㊣通道培训课程，为新员工快速了解公司文化，提供线上+线下互动的入职培训及年度零距离对话CEO活动；为应届生从学生转换成职场人士，开展应届生“启航计划”项目；帮助新晋升管理者进行从个人贡献者到团队领导者的角色转换，组织了“新经理成长营”等领导力项目；为新产品团㊣队提供“敏捷项目管理”培训等。
2024年，公司将根据业务发展需㊣求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法，计划引进超过500名国内外专业人才，进行超过2万人次、5万小时的系统性培训等措施持续提升员工专业能力。
公司将持续收集半导体制造行业市场与技术动态信息，密切关注客户需求。公司在满足现有客户设备需求的同时，深度㊣挖掘现有客户的其他需求；积极拓展国内外其他知名客㊣户，不断支持公司扩大业务规㊣㊣模。同时，公司将不断寻求新的业㊣务增长契机。
2024年，公司将加大市场推广力度，参加包括✅SemiconChina、IC㊣China等重量✅级行业展会，支持超过10场的国内外学术会㊣议，公司也将安排公司技术专家参与演讲交㊣流，分享公司产品及技术等进展，提升公司影响力和技术的知名度。作为SEMI、中国半㊣导体行业协会等国内外十多家行业协会/联盟的重要成员单位，中微公司将继续参加行业主要活动，履行社会责任，扩大公司的行业影响力。
在高度竞争的产业形势下，公司考虑在有机成长的同时，通过投资、并购国内外高端的半导体设备及关键零部件厂商或与海内外知名设备厂商进合作开发，使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场，为公司的长期可持续成长奠定基础。公司会重点考虑布局半导体和泛半导体领域设备公司，以及产业链上下游有协同效应的公司。
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方㊣面。公司定期跟踪各项指㊣标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。公司建立了高效的库存管控体系，设置合理的库存警戒线年，公司将在中微临港等生产基地，推进智能工厂项目和精益管理，提升人员及营运效率，缩短设备交付周期，并努力保持100%订单准时交付。
随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续完善内控建设，结合公司实际情况，在符合内部控制要求的前提下，着眼于管理创新，持续提升㊣公司的内部控制管理体系，促进公㊣司高速、稳定、健康发展。
公司在为客户和市场提供高科技产品和服务的同时，追求在环境、社会和管治等领域成为国际领先企业，立足中微七个ESG要素的管理，在产㊣品技术创新、绿色生产运营、培养和推动供应链发展、员工权益保✅障、支持社会发展、遵守商业规范等方面采取积极有效措施，推动经济和社会可持续发展，让人类的生活因中微而更加美好。
2024年，公司在继续开发绿色节能产品的设备产品基础上，努力降低能源消耗，降低✅含氟化学品使用，不断提㊣升能源使用效率，提升可再生能源使用比例。公司在2024年将继续融入国际课持续发展组织，包括责任商业联盟（Responsib✅eBusinessAiance，RBA）、半导体气候联合会（SemiconductorCimateConsortium，SCC）等。公司也将继续开展关爱特困老人、支持教育发展、支持“芯肝宝贝计划”等公益活动，并持续拓展与知名高校的交流合作，助力培养新一代行业人才。
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